[发明专利]立方氮化硼单晶-金刚石薄膜异质P-N结的制备方法

摘要

本发明属一种半导体元件的制备方法，特别涉及ｃ－ＢＮ／金刚石薄膜异质Ｐ－Ｎ结的制备方法。采用直接合成片状立方氮化硼单晶，再用热灯丝化学气相沉积方法，通过Ｂ掺杂在Ｎ型片状ｃ－ＢＮ单晶衬底上生长Ｐ型金刚石薄膜中获得Ｐ－Ｎ型。Ｎ型ｃ－ＢＮ单晶可通过在高压合成ｃ－ＢＮ原料中掺Ｓｉ或对合成的纯净片状ｃ－ＢＮ单晶扩散Ｓｉ得到。本发明工艺过程简单，加工难度小，产品重复性好，生产效率高，得到的Ｐ－Ｎ结具有优良的Ｖ－Ａ特性。

主权项

1，一种立方氮化硼单晶—金刚石薄膜异质P-N结的制备方法，包括有合成立方氮化硼单晶—硅扩散—制备掺硼金刚石薄膜工艺过程，所说的合成立方氮化硼单晶，是以六角氮化硼为原料，用含锂、硼、氮元素的触媒，在1800-2000K温度、5-7GPa条件下，在六面顶压力机腔体内保压3-40分钟，得到片状立方氮化硼单晶；所说的硅扩散过程，是制成N型CBN单晶材料；所说的制备掺硼金刚石薄膜，是采用热灯丝化学气相沉积方法，在生长室内放硼粉，使生长的金刚石薄膜含硼而形成P型金刚石薄膜。