[发明专利]用于半导体存储器元件的熔丝装置有效
| 申请号： | 98116946.5 | 申请日： | 1998-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1134842C | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | H·戈贝尔;G·克劳瑟 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L23/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良;王忠忠 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于半导体存储器元件的熔丝装置，具有若干熔丝(1)，这些熔丝配置在一个半导体上并且可以分别通过能量作用为了分断一个导电连接而编程。为了节省芯片面积，熔丝(1)至少重叠配置在两个平面(2，3)上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 存储器 元件 装置 | ||
【主权项】：
1.用于半导体存储装置的熔丝装置，具有许多个熔线(1)，这些熔丝规定在一个半导体本体上并且是可通过用于中断或建立导电连接的能量作用分别单个地编程的，其特征在于，熔丝(1)规定在半导体本体的至少两个通过一绝缘层相互分离的平面(2，3)上并且是可通过至少两个激光光束(5，6)的重叠作用(7)分别编程的，其中，重叠的激光光束(5，6)相交在一个待编程的熔丝(4)中并且激光光束(5，6)的强度是如此选择的，使一个单个的激光光束尚不损害熔丝(4)的材料，通过多个激光光束(5，6)在一个点上的重叠而在那里的强度是如此之高，使熔丝受到破坏。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西门子公司，未经西门子公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98116946.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
