[发明专利]场致发射型电子源及其制造方法和用途无效
| 申请号： | 98116965.1 | 申请日： | 1998-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1215907A | 公开（公告）日： | 1999-05-05 |
| 发明（设计）人： | 菰田卓哉;越田信義 | 申请（专利权）人： | 松下电工株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30;H01J9/02;H01J31/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明为一种场致发射型电子源,具有导电性基板(1)、在导电性基板一表面侧形成的具有纳米构造的氧化或氮化的多孔多晶硅层(6)、以及在该多孔多晶硅层上形成的金属薄膜(7),相对于导电性基板将金属薄膜作为正极加上电压,通过金属薄膜发射电子束。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电子 及其 制造 方法 用途 | ||
【主权项】：
1．一种场致发射型电子源，其特征在于，具有导电性基板、在导电性基板一表面侧形成的具有纳米构造的氧化或氮化的多孔多晶硅层、以及在该多孔多晶硅层上形成的金属薄膜，相对于导电性基板将金属薄膜作为正极加上电压，就通过金属薄膜发射电子束。
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