[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种双极CMOS半导体器件的制造方法,不增加掩模数量,能够提高双极晶体管的性能,并确保稳定的特性和高的成品率。使栅极构造为三层构造,在MOS晶体管的制造过程中插入双极性晶体管,由此,在栅极氧化后,仅通过该栅极氧化膜(薄的氧化膜),来形成基极区域。

主权项

1.BiCMOS半导体器件的制造方法，所述BiCMOS半导体器件具有双极性晶体管和MOS晶体管，其特征在于，包括：(1)在第一导电型的半导体衬底上有选择地形成分离用绝缘膜的工序；(2)有选择地形成成为双极性晶体管的高浓度集电极区域的引出的第二导电型的区域的工序；(3)形成MOS晶体管的第一导电型的阱区域和第二导电型的阱区域的工序；(4)在包含上述第一导电型的阱区域和第二导电型的阱区域的半导体衬底的整个表面上形成绝缘膜和第一多晶硅膜的工序；(5)有选择地除去形成双极性晶体管的区域的上述第一多晶硅膜的工序；(6)在除去了上述第一多晶硅膜的区域中形成第二导电型的区域；(7)在上述第二导电型的区域中形成第一导电型的区域的工序；(8)在包含上述第一多晶硅膜和上述第一导电型的区域的半导体衬底的整个表面上形成第二多晶硅膜的工序；(9)除去上述第一导电型的区域上的预定区域的上述第二多晶硅膜和上述绝缘膜而形成开孔的工序；(10)在包含上述开孔的半导体衬底的整个表面上，形成第三多晶硅膜，在上述第三多晶硅膜中导入第二导电型的杂质的工序；(11)在上述第一导电型的阱区域和第二导电型的阱区域的预定区域中，有选择地遗留第一、第二、第三多晶硅膜，另一方面，有选择地遗留第二、第三多晶硅膜以便于对着在上述第一导电型的区域上的预定区域中形成的开孔延伸的工序。