[发明专利]半导体存储器无效
| 申请号： | 98117178.8 | 申请日： | 1998-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1114926C | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | 越川康二 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C8/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,黄敏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 内部同步信号发生电路输出内部同步信号ICLK1和ICLK2。短脉冲计数器输出内部列地址信号IADD和最低内部列地址信号IY0。D-F/F路输入输入缓冲器的输出，并与ICLK1同步驱动写总线WBUS1。反相元件输入IY0。反相元件输入D-F/F6、D-F/F7的输出，并驱动写总线WBUS2。列译码器8输入IADD，并输出列转换YSW。读出放大器输入YSW和WBUS2。利用该器件，可以减小最大耗电量或短脉冲的平均耗电量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，包括：存储单元；内部同步信号发生电路，用于与来自外部的参考信号同步地产生内部同步信号；短脉冲计数器，利用在所述参考信号的第一周期从外部输入的外部地址作起始地址，并与内部同步信号同步地按一定顺序形成内部地址信号；数据总线，用于传输存储单元的存储数据；及用于根据将数据从连续数据总线的第一块传输到第二块的数据传输中内部地址信号的最低地址的电平，确定是否把要传输数据的极性反相的装置。
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