[发明专利]具有交替的长焊盘和短焊盘的半导体器件无效
| 申请号： | 98117399.3 | 申请日： | 1998-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1209654A | 公开（公告）日： | 1999-03-03 |
| 发明（设计）人： | 高森一雄 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制备在半导体芯片(51)上的集成电路(IC)通过焊盘阵列(50)电连接到封装的引线(54);焊盘阵列包括暴露在第一局部收缩开口(51e/51f)的长焊盘(50a)和暴露在第二局部收缩开口(51d)并与长焊盘交替的短焊盘(50b),第一局部收缩开口的宽部分与相邻的第二局部收缩开口的宽部分偏置,以便制造出小于40微米的细距排列的长焊盘和短焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 交替 长焊盘 短焊盘 半导体器件 | ||
【主权项】：
1．一种半导体器件包括：衬底结构(51a/51b)，具有绝缘层(51b)；多个第一焊盘(50b；70b)，形成在所述绝缘层(51b)上并电连接到集成电路(IC)；多个第二焊盘(50a；70a)，电连接到所述集成电路(IC)并沿第一虚线(VT1)与所述绝缘层(51b)上的所述多个第一焊盘交替；覆盖绝缘层，所述多个第一焊盘和所述多个第二焊盘的保护层(51c/51g)，其特征在于所述多个第二焊盘(50a；70a)长于所述第一焊盘(50b；70b)，并且在于所述保护层(51c/51g)由下面形成：多个第一开口(51d；71c)，分别与所述多个第一焊盘(50b；70b)有关，由各第一宽部分收缩到各第一窄部分以及；多个第二开口(51e/51f；71a/71b)，分别与所述多个第二焊盘(50a；70a)有关，并由各第二宽部分收缩到各第二窄部分；在垂直于所述第一虚线(VT1)的所述多个第二焊盘的纵向方向内，所述第二宽部分与所述第一宽部分偏置。
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