[发明专利]半导体光发射器件无效
| 申请号： | 98117471.X | 申请日： | 1998-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1155116C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 森本泰司;伊藤茂稔 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体光发射器件，包括：一个绝缘衬底；一个形成在所述绝缘衬底上的层状结构，该层状结构包括一p型半导体层、一n型半导体层和在该p型半导体层和该n型半导体层之间的一光发射层，一个负电极，形成在所述n型半导体层上，该负电极上形成有负电极引线焊盘，一个正电极，形成在所述p型半导体层上，该正电极上形成有正电极引线焊盘，其中，所述正电极引线焊盘与所述负电极之间互相重叠的部分设置有绝缘膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发射 器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体光发射器件，包括：一个绝缘衬底；一个形成在所述绝缘衬底上的层状结构，该层状结构包括一p型半导体层、一n型半导体层和在该p型半导体层和该n型半导体层之间的一光发射层，一个负电极，形成在所述n型半导体层上，该负电极上形成有负电极引线焊盘，一个正电极，形成在所述p型半导体层上，该正电极上形成有正电极引线焊盘，其中，所述正电极引线焊盘与所述负电极之间互相重叠的部分设置有绝缘膜层。
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