[发明专利]半导体器件制备中水处理系统的光氧化设备及方法无效
| 申请号： | 98117481.7 | 申请日： | 1998-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN1218770A | 公开（公告）日： | 1999-06-09 |
| 发明（设计）人： | 金秀莲;金贤俊;吴允哲;金承彦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C02F1/00 | 分类号： | C02F1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 这里提供了半导体器件制备过程中的一种光氧化设备、一种水处理系统以及一种水处理方法,其中用于生产线的水是初始水中的有机物等已经去掉后的水。水处理系统的光氧化设备包括用来氧化预处理后的水中的有机物的发出固定波长紫外线的紫外灯;包括紫外灯、水流入口与出口的光氧化部分;用来在固定波长紫外线照射下激发有机物氧化并位于光氧化部分内壁的催化部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 中水 处理 系统 光氧化 设备 方法 | ||
【主权项】：
1．半导体器件制备过程中水处理系统的光氧化设备，它包括：能幅射有固定波长紫外线的紫外灯，用来氧化经过预处理后的水中的有机物；包括紫外灯、水流入口与出口的光氧化部分；位于光氧化部分内壁的催化部分，用来激发有机物在固定波长紫外线照射下的氧化。
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