[发明专利]具有改善可靠性的铁电随机存取存储器器件无效
| 申请号： | 98117489.2 | 申请日： | 1998-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1112704C | 公开（公告）日： | 2003-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李镇宇;金奇南;郑东镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 揭示了一种铁电随机存取存储器(FRAM)器件，包括一条字线，一条极板线，一条位线，和一个铁电存储单元。该铁电存储单元包括一个铁电电容器和一个选择晶体管。铁电电容器的一个电极经选择晶体管与位线耦合，其另一电极与极板线耦合，选择晶体管的控制极与字线耦合。该FRAM器件还包括一个用于产生提供至极板线的一个极板脉冲信号的极板脉冲发生器。根据不同的操作模式，产生的极板脉冲信号具有不同的电压电平。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 可靠性 随机存取存储器 器件 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器器件，包括：一条字线；一条极板线；一条位线；一个铁电存储单元，包括一个铁电电容器和一个选择晶体管，其中，铁电电容器的一个电极经选择晶体管与所述位线耦合，铁电电容器的另一电极与所述极板线耦合，选择晶体管的控制极与所述字线耦合；和用于产生提供至极板线的一个驱动信号的装置，其中，在写操作模式中该驱动信号为第一电压，在读操作模式中该驱动信号为高于所述第一电压的第二电压，其特征在于所述驱动信号产生装置包括：用于以脉冲形式产生第一电压驱动信号的装置；用于将驱动信号第一电压提升至驱动信号第二电压的装置；和根据一个在读操作模式时启动的外部施加控制信号选择性地将所述信号产生装置和信号提升装置的输出之一传送至极板线的装置。
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