[发明专利]半导体晶片对准系统及对准方法无效
| 申请号： | 98117490.6 | 申请日： | 1998-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1112720C | 公开（公告）日： | 2003-06-25 |
| 发明（设计）人： | 金在顺 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G03B3/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体晶片对准系统及其对准方法，将浮置于超纯水上的晶片准确地对准。包括：具有喷射口的工作台，以使从超纯水供应源提供的超纯水喷射；安装于工作台上的导向装置，用于通过晶片的两侧固定浮置于由超高纯喷射压力形成的水表面上的晶片，以便将其导入正确位置。该半导体晶片的对准方法包括以下步骤：在固定的晶片上喷射超纯水，用导向装置保持晶片，对准晶片、并将晶片输送到其它装置上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 对准 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片对准系统包括：具有喷射口的工作台，从而使从超纯水供应源提供的超纯水向上喷射以形成半导体晶片在其上浮置的水表面；和导向装置，安装于工作台上，将浮置在由超纯水的喷射压力形成的水表面上的晶片固定住，以便将其导入正确位置；其特征在于导向装置包括：左/右导向器，通过固定晶片的圆形周边的左和右侧而接触晶片；和驱动部分，分别与左和右导向器连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
