[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法，该装置包括至少一种含Si-H键的夹层绝缘膜，夹层绝缘膜中的通路插头及Si-H键部分；其制造方法主要包括有在绝缘膜上形成含Si-OH键的夹层绝缘膜，在夹层绝缘膜上开通孔，清除表面上的Si-OH部分，再在通孔中形成通路插头等步骤。本装置能有效防止通路插头的通孔电阻异常，且使夹层绝缘膜的介电常数稳定。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，它包含下列步骤：在一第一绝缘膜上形成一第一布线图；在所述布线图上沉积第二绝缘膜，以覆盖所述第一布线图；在所述第一绝缘膜上镀敷一夹层绝缘膜；在所述夹层绝缘膜上沉积第三绝缘膜；在所述第三绝缘膜上镀敷一种光刻胶；将所述光刻胶制成预定形状；通过使用所述成型的光刻胶做掩膜蚀刻所述第二和第三绝缘膜和夹层绝缘膜以形成一通孔；采用含氧的第一等离子体加工消除光刻胶，以使Si-OH键部分形成在所述夹层绝缘膜在通孔中的表面上；及对表面进行第二等离子体加工，致使Si-OH键部分变为Si-H键部分。