[发明专利]通过具不同击穿电压的场效应晶体管释放电流的保护电路无效
| 申请号： | 98117748.4 | 申请日： | 1998-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN1211075A | 公开（公告）日： | 1999-03-17 |
| 发明（设计）人： | 高桥健一朗 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘文意 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种保护电路,它由一P－沟道增强型场效应晶管,一第一节点和第一电阻串联结合而成,连接于一高压线和一低压线之间,以及由第二电阻,第二节点和n－沟道场效应管串联结合,也连接在高压线和低压线之间,第一节点和第二节点分别连接于n－沟道场效应管的栅极及P－沟道场效应管的栅极,当二场效应管之一由于在高压线与低压线之间加有非正常电压时,导致另一个场效应管导通,使得保护电路释放电流的能力提高。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 不同 击穿 电压 场效应 晶体管 释放 电流 保护 电路 | ||
【主权项】：
1、保护主电路(22)使之免受异常电压毁坏的保护电路。其特征在于：第一场效应晶体管(Qp11)电连接于第一第电源引线(23)和第二电源引线(24)之间，这两条电源引线的电位互不相同。当异常电压施加于第一条电源引线和第二条电源引线之间时，使从第一条电源线向第二条电源引线释放电流的第一个场效应晶体管导通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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