[发明专利]氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 98118311.5 | 申请日: | 1994-04-28 |
公开(公告)号: | CN1213863A | 公开(公告)日: | 1999-04-14 |
发明(设计)人: | 中村修二;山田孝夫;妹尾雅之;山田元量;板东完治 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法,所述半导体器件具有衬底、在该衬底上形成的包含n型氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层和p型氮化镓Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层的叠层结层,以及连接n型半导体层的第1电极和连接p型半导体层的第2电极。 | ||
搜索关键词: | 氮化 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法,其特征在于包括:提供具有第1及第2主面的衬底、及在该衬底第1主面上形成的具有包含n型氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层和p型氮化镓Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层的半导体叠层结构之氮化镓Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光器件;连接该p型半导体层形成金属材料层;以及为该金属材料提供退火,在使该金属材料层变成透光性之同时使之与p型半导体层形成欧姆接触、以此提供与该第2半导体层直接接触的透明欧姆电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日亚化学工业株式会社,未经日亚化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/98118311.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:包装纸包装机
- 下一篇:发光颜料与纸制造方法及画法应用