[发明专利]氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98118311.5 | 申请日： | 1994-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1213863A | 公开（公告）日： | 1999-04-14 |
| 发明（设计）人： | 中村修二;山田孝夫;妹尾雅之;山田元量;板东完治 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法,所述半导体器件具有衬底、在该衬底上形成的包含n型氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层和p型氮化镓Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层的叠层结层,以及连接n型半导体层的第1电极和连接p型半导体层的第2电极。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法，其特征在于包括：提供具有第1及第2主面的衬底、及在该衬底第1主面上形成的具有包含n型氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层和p型氮化镓Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层的半导体叠层结构之氮化镓Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光器件；连接该p型半导体层形成金属材料层；以及为该金属材料提供退火，在使该金属材料层变成透光性之同时使之与p型半导体层形成欧姆接触、以此提供与该第2半导体层直接接触的透明欧姆电极。
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