[发明专利]降低衬垫膜腐蚀的方法

摘要

形成沟槽电容器而不引起由抛光造成的阵列区边缘的过量腐蚀的改进的方法。在部分地去除用于在场区刻蚀沟槽的硬掩模的一部分的同时通过提供一个块掩模保护阵列区而降低腐蚀。该部分刻蚀使得经反应离子刻蚀形成深沟槽之后阵列区和场区硬掩模的厚度相等。

主权项

1.一种在集成电路制造中用于降低过量腐蚀的方法包括：提供一个其上形成了一个衬垫叠层的基片，该衬垫叠层包括一个覆盖于一个抛光阻挡层之上的硬掩模层，该基片包括一个将要形成沟槽电容器阵列的第一区和该第一区之外的一个第二区；形成一个保护所述第一区的块掩模；部分地刻蚀第二区的硬掩模，所述第一区被块掩模保护；去除所述块掩模；构图所述衬垫叠层以暴露将要在其处形成深沟槽阵列的第一区的基片的部分；刻蚀基片，以形成深沟槽，其中该刻蚀以大于第二区的硬掩模层的刻蚀速率的速率腐蚀第一区的硬掩模层，由于第二区的硬掩模层的部分刻蚀，其结果是使硬掩模层的第一区和第二区的表面共面；用多晶硅填充沟槽以形成沟槽电容器的存储节点；以及抛光去除多余的多晶硅以暴露硬掩模层。