[发明专利]在熔丝结构中形成引线通孔的方法和金属熔丝结构有效
| 申请号： | 98118428.6 | 申请日： | 1998-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1150606C | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 吉尔·Y·李 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 公开了金属熔丝结构以及形成该结构的方法。该方法包括从金属化层形成熔丝结构。在从金属化层形成的熔丝结构上面沉积HDP氧化物的底部氧化层。在底部氧化层上面沉积掺杂氧化层。在掺杂氧化层上面沉积顶部氧化层。通过顶部氧化层蚀刻。在开始蚀刻掺杂氧化层时，检测出放出的掺杂物质增加的含量。该方法进一步包括在检测出掺杂物质增加的含量时终止蚀刻。其中在从金属化层形成的熔丝结构上面至少保留底部氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 形成 引线 方法 金属 | ||
【主权项】：
1.一种在熔丝结构中形成引线通孔的方法，包括：从金属化层形成熔丝结构；在用金属化层形成的熔丝结构上面沉积底部氧化层；在底部氧化层上面沉积掺杂氧化层，用于掺杂该氧化层的掺杂剂包括P或F；在掺杂氧化层上面沉积顶部氧化层；蚀刻穿过顶部氧化层；当开始蚀刻掺杂氧化层时，检测出放出的掺杂物质增加的含量；以及在检测出掺杂物质增加的含量时终止蚀刻，使得在用金属化层形成的熔丝结构上面至少保留底部氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
