[发明专利]在工艺过程中控制半导体晶片温度的温度控制装置和方法

摘要

测量和控制半导体晶片温度的装置和方法。该装置包括处理中固定晶片的夹盘、冷却剂气体源、测量和控制处理中晶片温度的温度传感装置。晶片夹盘上表面有许多孔，氦冷却剂气体以控制速率和压力流进该孔。冷却剂气体流过夹盘上表面与晶片下侧间狭窄空间，被加热到晶片温度后通过排放管排出。温度传感装置连续测量刚被加热的冷却剂气体温度，温度传感装置产生控制到晶片的冷却剂气体流的压力和流量信号。处理过程中精确控制晶片温度，使之维持在所需的值。

主权项

1.一种用于在工艺过程中控制半导体晶片的温度的温度控制装置，所述装置包括：支架，用于固定半导体晶片；气体源，能够提供有选择的温度、压力、和流速的气体，所说气体从半导体晶片上面流过，从而进行能量转换；温度传感器，用于测量与半导体晶片接触后的气体的温度，并产生表示接触半导体晶片后的气体温度的输出信号；温度控制器，其响应温度传感器的输出信号，产生表示半导体晶片温度的所需变化的控制信号；气体控制器，其连接到气体源，响应温度控制器的控制信号，用于至少控制与半导体晶片接触前气体的温度、压力、和流量中的一个，以调节半导体晶片的温度。