[发明专利]用于蚀刻含有二氧化硅的层的方法无效
| 申请号： | 98118803.6 | 申请日： | 1998-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1130760C | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·M·柯克霍夫;约基恩·哈尼贝克 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种在等离子处理室内用于蚀刻在半导体基片上的含有二氧化硅的层的方法，所述的含有二氧化硅的层布置在一个氮化硅(SiN)层上，该方法包括：把所述基片放在所述的等离子体处理室内；使一种蚀刻源气体流进所述的等离子处理室内，所述的蚀刻源气体包括C4F8和一种非一氧化碳(CO)的添加气体，所述添加气体选择由下列物质构成的组：CH3CHO、CFH2CHO、CF2HCHO、CF3CHO、CH3COCH3、CH3COCH3的氟代衍生物、HCOOH、OHC-CHO、HOOC-COOH、HOCH2-CHO、COF2、HCHO、CH3OH和CH3CH2OH；以及由所述蚀刻源气体触发等离子体，以蚀刻穿过至少部分所述的含有二氧化硅的层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 含有 二氧化硅 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于蚀刻在半导体基片上的含有二氧化硅的层的方法，所述的含有二氧化硅的层布置在一个氮化硅(SiN)层上，该方法包括：把所述基片放在所述的等离子体处理室内；使一种蚀刻源气体流进所述的等离子处理室内，所述的蚀刻源气体包括C4F8和一种非一氧化碳(CO)的添加气体，所述添加气体选择由下列物质构成的组：CH3CHO、CFH2CHO、CF2HCHO、CF3CHO、CH3COCH3、CH3COCH3的氟代衍生物、HCOOH、OHC-CHO、HOOC-COOH、HOCH2-CHO、COF2，HCHO、CH3OH和CH3CH2OH；以及由所述蚀刻源气体触发等离子体，以至少部分蚀刻穿过所述的含有二氧化硅的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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