[发明专利]清洗和干燥半导体晶片的装置及方法无效
| 申请号： | 98118826.5 | 申请日： | 1998-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1152417C | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 赤津广之;拉维库马·拉马钱德兰 | 申请（专利权）人： | 西门子公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用晶片的增强“马兰各尼效应”流体流的清洗和干燥半导体晶片的装置和方法，防止晶片上集成电路上的水印。该装置包括：可气密密封的外罩；外罩底部内上开口清洗箱；固定晶片的可移动架，清洗时将晶片固定在箱中，干燥时将晶片固定在外罩上部；给箱下部提供冷却的去离子水(DIW)的装置，DIW在箱中流动并从顶部溢出；排出从外罩溢出的DIW的泵；给外罩提供如氮气等干燥气体中含如异丙醇等有机蒸汽的装置。在干燥晶片时，外罩内压力约1乇或更低。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 干燥 半导体 晶片 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种清洗和干燥半导体晶片的装置，包括：外罩装置，用于在清洗和干燥过程中至少容纳一个晶片，该外罩装置有一个设计成容纳晶片清洗水的下部和一个设计成容纳有机蒸汽的上部；在外罩装置中的可移动支架，用于在清洗晶片时用来至少支撑一个浸入晶片清洗水中的晶片，然后将晶片提出水面并进入外罩装置的上部，在那里晶片能暴露于有机蒸汽；给外罩装置提供有机蒸汽的装置，其中，该有机蒸汽是其表面张力比晶片清洗水的表面张力小的有机液体蒸汽；给外罩装置提供晶片清洗水的装置，晶片清洗水冷却到低于环境温度，以便晶片从晶片清洗水中提出并进入外罩装置上部时快速干燥，并消除晶片上的水印。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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