[发明专利]双镶嵌刻蚀方法、及形成和生产自对准通路的方法

摘要

一种已改进的应用自对准通路孔实行双镶嵌刻蚀穿过配置在衬底上层叠的方法。该层叠包括下导电层和配置在下导电层上的绝缘层。该方法包括下列操作步骤：在已制成图形的绝缘层顶面上淀积一层硬抗蚀层，以便把在该硬抗蚀层中的第一窗孔定位在下器件层上。而后在该硬抗蚀层的顶面上淀积一层软抗蚀层，该软抗蚀层具有小于且对准第一窗孔和该下导电层的第二窗孔。然后在位于其上的绝缘层的顶面中形成由第一槽且以在该槽底部的绝缘材料与下器件层隔开。接着在形成所述槽之后除去该软抗蚀层而不影响硬抗蚀层。通过刻蚀穿透槽底部的绝缘材料直至下器件层而形成通孔。

主权项

1、一种通过配置在衬底上边的层叠进行双镶嵌刻蚀的方法，所述层叠包括一下器件层，一配置在所述下器件层上边的绝缘层，所述方法包括：在所述绝缘层顶面上淀积一层硬抗蚀层，将所述硬抗蚀层制成图形使得在所述硬抗蚀层中的第一窗孔位于所述下器件层上，安排所述第一窗孔以限定上覆的金属化层；在所述硬抗蚀层的顶面上淀积一层软抗蚀层，将所述软抗蚀层制成图形以便形成小于且对准所述硬抗蚀层中的所述第一窗孔的第二窗孔；利用所述第二窗孔作为第一掩模窗孔在所述绝缘层的所述顶面中形成一槽，所述槽位于所述下器件层上且通过在所述槽底部的绝缘材料与其隔开；在形成所述槽之后除去所述软抗蚀层以致所述硬抗蚀层不受影响；用所述第一窗孔作为第二掩模窗孔，通过刻蚀穿透在所述槽的底部的所述绝缘材料直至所述下器件层而形成通孔。