[发明专利]动态随机存取存储器单元及其形成方法

摘要

一种DRAM单元，其存储电容器形成为沟槽形式，它的下部形成于n-型基底内，用电化学蚀刻在该部分的侧壁上提供大孔(31A)。孔壁上涂有一介电层(26B)，沟槽中然后填充上掺杂多晶硅(24A)。这样可以得到具有非常大表面积和高电容的电容器。本发明还涉及这种DRAM的形成方法。

主权项

1.一种动态随机存取存储器单元，包括：一基底，它包括一n-型部分和一覆盖上述n-型部分的更轻度掺杂层，n-型部分中施主浓度在1016/cm3至1018/cm3之间；一场效应晶体管，其通道和电流终端区域位于轻度掺杂层内；和一存储电容器，它包括一穿过轻度掺杂层进入n-型基底的介电隔离垂直槽，所述槽具有沿轻度掺杂部分的相对光滑的侧壁，该槽还具有在n-型部分之内的扩大了表面积的宏观孔部分，沟槽中填充有n-型多晶硅。