[发明专利]集成电路中的似电容元件无效
| 申请号： | 98119257.2 | 申请日： | 1998-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1087871C | 公开（公告）日： | 2002-07-17 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 张国飙 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 610051 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及保护性陶瓷材料在集成电路中的应用。使用保护性陶瓷材料作为FPGA、PROM、DRAM和超导电路的绝缘材料有很多好处。保护性陶瓷材料能致密地覆盖金属表面并没有缺陷，因此可以提高成品率。Pilling-Bedworth比是鉴定绝缘材料有无保护性的很好判据。Pilling-Bedworth比需大于1，最好小于2。使用多层保护性陶瓷材料可以更加减少缺陷密度并改善成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 中的 电容 元件 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路中的似电容元件，包括：一具有一上表面的第一底电极、一第二顶电极，以及一位于所述第一底电极和第二顶电极之间的介质膜，其特征在于：所述介质膜含有至少一层保护性陶瓷材料，该陶瓷材料含有至少一种金属元素与碳、氮、氧、磷和硫中的至少一种非金属元素之间的化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
