[发明专利]热可靠性能改善的半导体装置

摘要

一种半导体装置包括彼此平行地设置于发热区内的欧姆源板极，栅板极和漏板极，采用不同设计使半导体装置内产生的热量均匀分布。第一例中在各个源板极和漏板极上形成平行于欧姆板极的镀金板极，在发热区中心部分的镀金板极最宽且从发热区中心朝向周边部分设置的镀金板极逐渐变窄。第二例中采用了垂直于欧姆板极的多个条状板极，这些板极间距是变化的。第三例中相对于与发热区中心的距离成反比例地变化半导体衬底的厚度。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，它包括：具有发热区的半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的第一，第二和第三电极；在所述发热区内彼此平行设置的多个第一导电指，每个所述第一导电指与一个所述第一电极电连接；在所述发热区内与所述第一导电指平行设置的多个第二导电指，每个所述第二导电指与一个所述第二电极电连接，每个所述第二导电指被设置在各个所述第一导电指之间；在所述发热区内与所述第一导电指平行设置的多个第三导电指，每个所述第三导电指与一个所述第三电极电连接，每个所述第三导电指被设置在各个第一导电指和各个第二导电指之间；及热辐射器包括多个在所述第一和第二导电指的至少一个上形成的金属板极，每个所述金属板极与所述第一导电指平行，设置在所述发热区中心部分的所述多个金属板极的第一金属电极的宽度比设置在所述发热区周边部分的所述多个金属板极的第二金属电极的宽度宽。