[发明专利]采用微掺杂漏极结构的半导体器件及其制备方法无效
| 申请号： | 98119321.8 | 申请日： | 1998-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1114956C | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | 小室敏雄 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在第一导电类型半导体上形成栅极。接着，在漏极结构布置区内半导体衬底表面有选择地掺入第二导电类型第一杂质来形成第一扩散层。接着，在源极结构布置区内的半导体衬底表面有选择地掺入扩散系数小于第一杂质的第二导电类型第二杂质来形成第二扩散层。然后，在栅极一侧表面形成一个侧壁。接着，用栅极和侧壁作为掩模，将浓度高于第一和第二杂质的第二导电类型第三杂质掺入半导体衬底表面。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 掺杂 结构 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.采用LDD结构的半导体器件，包括：第一导电类型半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的场效应MOS晶体管；所述场效应MOS晶体管包括：在所述半导体衬底上形成的栅极；漏极区，所述漏极区包括：在所述半导体衬底表面形成的第二导电类型第一扩散层，所述第二导电类型与第一导电类型相反；和在所述半导体衬底表面上较所述第一扩散层更接近所述栅极的地方形成第二导电类型第二扩散层，其杂质浓度要低于所述第一扩散层；和源极区，所述源极区包括：在所述半导体衬底表面形成的第二导电类型第三扩散层，和在所述半导体衬底表面上较所述第三扩散层更接近所述栅极的地方形成第二导电类型第四扩散层，且其杂质浓度要低于所述第三扩散层；在所述第四扩散层内的杂质扩散系数要小于所述第二扩散层中杂质的扩散系数。
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