[发明专利]多级布线结构及其互连方法无效
申请号: | 98119565.2 | 申请日: | 1998-09-22 |
公开(公告)号: | CN1133209C | 公开(公告)日: | 2003-12-31 |
发明(设计)人: | J·E·克罗宁;B·J·卢瑟 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/52;H01L21/28;H01L21/70 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 邹光新,王忠忠 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种通过另一互连级连接垂直相隔的两个互连级的方法,通过形成要制成接触的第一互连区、在该互连区上形成第一绝缘区、在第一绝缘层上形成一腐蚀终止层、腐蚀腐蚀终止层以在第一互连区上一位置处形成一开口实现,形成与第一绝缘层接触并在第一互连区上的第二互连区,在第一绝缘层和腐蚀终止层上形成第二绝缘层,在第二绝缘层内形成开口,第二绝缘层内的开口覆盖腐蚀终止层内的开口,延伸第二绝缘层内的开口通过第一绝缘层,用导体填充第一和第二绝缘层内的开口,在第一互连区和第二绝缘层上的区域之间形成连接。 | ||
搜索关键词: | 多级 布线 结构 及其 互连 方法 | ||
【主权项】:
1.一种通过另一互连级连接垂直地相隔的两个互连级的方法,特征在于包括以下步骤:a)形成要制成接触的第一互连区;b)在该互连区上形成第一绝缘区;c)在第一绝缘层上形成一腐蚀终止层;d)腐蚀腐蚀终止层以在所述第一互连区上一位置处形成一开口;e)形成与所述第一绝缘层接触并在所述第一互连区上的第二互连区;f)在所述第一绝缘层、所述腐蚀终止层和所述第二互连区上形成第二绝缘层;g)在所述第二绝缘层内形成一开口,在所述第二绝缘层内的所述开口覆盖腐蚀终止层内的所述开口;h)延伸所述第二绝缘层内的所述开口通过所述腐蚀终止层内的所述开口并通过所述第一绝缘层;以及i)用导体填充所述第一和第二绝缘层内的开口,在所述第一互连区和所述第二绝缘层上的区域之间形成连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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