[发明专利]动态随机存取存储器的电容器的制造方法

摘要

一种DRAM存储单元的电容器的制造方法包括：在层间介电层和氮化物层中形成接触窗开口；以第一多晶硅层填满接触窗开口，形成存储节接触窗；形成一氧化层；限定及蚀刻以形成中间堆叠结构；在此结构侧壁形成第一多晶硅间隙壁；去除部分氧化层，露出第一多晶硅间隙壁的顶部；形成氮化物间隙壁，其并不延伸至第一多晶硅间隙壁的顶部；形成第二多晶硅间隙壁；去除氧化层；去除氮化物间隙壁及氮化物层，形成一下存储节；以及在下存储节上形成一薄电容器介电层以及一导电层。

主权项

1.一种动态随机存取存储器存储单元的电容器的制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成一层间介电层；在该层间介电层上，形成一氮化物层；在该层间介电层以及该氮化物层中，形成一接触窗开口；在该氮化物层及该接触窗开口上，形成一第一多晶硅层，并填满该接触窗开口，在该接触窗开口中形成一存储节接触窗；在该第一多晶硅层上，形成一氧化层；限定及蚀刻该氧化层及该第一多晶硅层，在该存储节接触窗上方形成一中间堆叠结构；在该中间堆叠结构侧壁形成一第一多晶硅间隙壁；去除部分该中间堆叠结构的该氧化层，露出该第一多晶硅间隙壁的顶部；在该第一多晶硅间隙壁侧壁，形成氮化物间隙壁，该氮化物间隙壁并不延伸至该第一多晶硅间隙壁的顶部；在该氮化物间隙壁及该第一多晶硅间隙壁上，形成一第二多晶硅间隙壁；去除该氧化层；去除该氮化物间隙壁及该氮化物层，形成一下存储节；以及在该下存储节上形成一薄电容器介电层以及一导电层。