[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

曝光形成抗蚀剂图形时，其微细化受到波长的界限。本发明能够超过该界限并形成出色而且干净的抗蚀剂图形。用第2抗蚀剂2覆盖在第1抗蚀剂图形1a上，曝光在第1抗蚀剂图形1a中产生酸，在界面上形成交联层4，形成比第1抗蚀剂图形1a粗的第2抗蚀剂图形2a。然后，通过用在水中溶入了有机溶剂的液体剥离第2抗蚀剂2，进而用水清洗，得到干净而且微细的抗蚀剂图形。由此，能够缩小抗蚀剂的通孔直径，缩小分离宽度。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，特征在于具有在半导体衬底上通过成膜第1抗蚀剂并把该膜形成图形来形成第1抗蚀剂图形的工艺，从而可以在半导体衬底上供给酸；在该第1抗蚀剂图形上形成不溶解第1抗蚀剂图形而且有酸存在时可引起交联反应的第2抗蚀剂的工艺；通过从上述第1抗蚀剂图形供给酸在第1抗蚀剂图形与上述第1抗蚀剂图形邻接的第2抗蚀剂之间的界面部分形成交联膜的处理工艺；用不溶解第1抗蚀剂图形而溶解第2抗蚀剂的非交联部分的第1溶液显影上述第2抗蚀剂的非交联部分，进而通过用对第2抗蚀剂的非交联部分的溶解性比该第1溶液低的第2溶液进行冲洗的多级处理形成第2抗蚀剂图形的工艺；把该第2抗蚀剂图形作为掩模刻蚀上述半导体衬底的工艺。