[发明专利]具有双栅极晶体管器件的恒流CMOS输出驱动电路

摘要

一种输出驱动电路包含有源极和漏极晶体管的双栅极pFET器件,源极晶体管源极与电源连,其漏极与漏极晶体管源极连,漏极晶体管漏极与输出驱动电路输出端连;双栅极nFET器件有源极和漏极晶体管,源极晶体管源极与地电位连,其漏极与漏极晶体管源极连,漏极晶体管漏极与输出驱动电路输出端连;第一开关装置,连到pFET器件源极晶体管栅极;第二开关装置,连到nFET器件源极晶体管栅极;偏压发生装置,连到pFET器件漏极晶体管的栅极,还有连到nFET器件漏极晶体管栅极端的第二输出端。

主权项

1．一种输出驱动电路，具有连接到一电阻终端负载的输出终端，该电路包括：一双栅极pFET器件，包括有一源极晶体管和一漏极晶体管，每一晶体管分别具有一栅极、一源极和一漏极，该源极晶体管的源极端连接到一电源V，该源极晶体管的漏极端连接到该漏极晶体管的源极端，该漏极晶体管的漏极连接到输出驱动电路的输出端；一双栅极nFET器件，包括有一源极晶体管和一漏极晶体管，每一晶体管分别包括有一栅极端、一源极端和一漏极端，该源极晶体管的源极与地电位相连，源极晶体管的漏极端连接到漏极晶体管的源极端，漏极晶体管的漏极端与输出驱动电路的输出端相连；第一开关，连接到该双栅极pFET器件的源极晶体管的栅极端，用来导通和关断通过双栅极pFET器件的源极晶体管来自电源V的电流；第二开关，连接到该双栅极nFET器件的源极晶体管的栅极端，用来导通和关断通过双栅极nFET器件的源极晶体管流到地电位的电流；和偏压发生器，具有连接到双栅极pFET器件的漏极晶体管的栅极端的第一输出端并且向该漏极电阻提供第一偏压，该偏压是相关电阻终端负载的一参考电压的函数并且控制到该电阻终端负载的由双栅极pFET器件的漏极晶体管所提供的电流量，该偏压发生器还包括连接到双栅极nFET器件的漏极晶体管的栅极端的第二输出端并且向该漏极晶体管提供第二偏压，该偏压是相关电阻终端负载的参考电压的一函数并且控制到该双栅极nFET器件的漏极晶体管的由电阻终端负载所提供的电流量。