[发明专利]使用掺杂硅酸盐玻璃的半导体结构的间隙填充有效
| 申请号： | 98119766.3 | 申请日： | 1998-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1143368C | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·柯克霍夫;马塞厄斯·伊尔格 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 通过应用掺杂硅酸盐玻璃来实现改进窄间隙的间隙填充，该玻璃的底部的掺杂剂浓度大于引起表面结晶生长的量，其上部具有低的掺杂剂浓度，这样掺杂硅酸盐玻璃的总的掺杂剂浓度低于引起表面结晶生长的掺杂剂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 掺杂 硅酸盐 玻璃 半导体 结构 间隙 填充 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路的方法，包括：提供一基片，其包括由窄空隙相隔开的高的高宽比的器件图形；在基片表面上形成一掺杂硅酸盐玻璃层，其中，掺杂硅酸盐玻璃的底部具有的掺杂剂浓度大于能够引起表面结晶生长的浓度，从而，减小了玻璃的熔点，以提供窄空隙的间隙填充，并且其中，掺杂硅酸盐玻璃的上部的掺杂剂浓度小于其底部的掺杂剂浓度，从而使得该掺杂硅酸盐玻璃层具有一组合掺杂剂浓度，其低于引起表面结晶生长的浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
