[发明专利]高可靠性的槽式电容器型存储器单元

摘要

一种槽式电容器型半导体存储器,包括半导体衬底,该衬底带有槽和第一和第二杂质扩散源/漏区,埋置于槽中的电容器电极,在半导体衬底内且与电容器电极的下部相邻的衬底侧电容器电极和电容器绝缘层,在半导体衬底与电容器电极的上部之间形成埋置的绝缘层。埋置的绝缘层厚于电容器绝缘层。在第二杂质扩散源/漏区表面上的埋置的绝缘层较薄,或与电容器的电极直接接触。在第二杂质扩散源/漏区和电容器电极上形成硅化物层。

主权项

1．一种半导体存储器，包括：第一导电型的半导体衬底(1)，在所述半导体衬底内形成有槽(14)；形成于所述半导体衬底内的第二导电型的第一和第二杂质扩散源/漏区(12,13)，所述第二杂质扩散区与所述槽相邻；埋置于所述槽中的电容器电极(7)；所述第二导电型的衬底侧电容器电极(8)，形成于所述半导体衬底内且与所述电容器电极的下部相邻；电容器绝缘层(6)，形成于所述电容器电极与所述衬底侧电容器电极之间；形成于所述半导体衬底与所述电容器电极的上部之间的埋置的绝缘层(5)，在所述半导体衬底上的所述埋置的绝缘层有第一厚度，该第一厚度大于所述电容器绝缘层的厚度，在所述第二杂质扩散源/漏区的表面上的所述埋置的绝缘层有第二厚度，该第二厚度小于所述第一厚度；和形成于所述第二杂质扩散源/漏区和所述电容器电极上的硅化物层(15)。