[发明专利]一种光波导装置的制造方法无效
| 申请号： | 98120207.1 | 申请日： | 1998-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1213782A | 公开（公告）日： | 1999-04-14 |
| 发明（设计）人： | 宋炯承;郑善太;金东寿 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造光波导装置的方法,包括如下步骤在基片上依次形成下覆层和芯层;在芯层上形成露出芯层的掩膜图案;基片承载于感应耦合等离子体系统的阴电极之上,该系统包括阴电极,与阴电极相对一预定间距的电极和位于上电极和阴电极之间的感应耦合等离子体线圈;由向该系统供入的反应气中产生等离子体,以通过掩膜图案将芯层制出图案形成一光波导;形成覆盖光波导的上覆层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波导 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造光波导装置的方法，其特征在于，它包括如下步骤：在一基片上依次形成一下覆层和一芯层；在芯层上形成露出芯层的掩膜图案；将其上形成掩膜的基片承载于感应耦合等离子体系统的阴电极之上，该感应耦合等离子体系统包括阴电极，以一预定间距与阴电极相对的上电极和位于上电极和阴电极之间的感应耦合等离子体线圈；通过向感应耦合等离子体系统供入反应气并分别向阴极和相应耦合线圈施加第一和第二RF功率而由反应气中产生等离子体，以通过掩膜图案将芯层制出图案形成一光波导；及形成覆盖光波导的上覆层。
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