[发明专利]防止未选择的存贮单元受到干扰的非易失可编程存贮器件

摘要

一种电可擦除和可编程只读存贮器件，在擦除/编程操作中在连接到每一选择的字线(W0)或位线(B0)的未选择浮置栅型场效应晶体管的控制极和漏极节点之间不可避免的产生弱电场，但是，在该擦除/编程操作期间改变该电场的方向从而防止了该未被选择的浮置栅型场效应晶体管出现于扰现象。

主权项

1.一种用来通过一编程操作来存贮数据位的半导体非易失存贮器件，包括一包括多个存贮单元(M00-Mnn)的存贮单元阵列(11)，每一存贮单元具有一在表示所述数据位中的一位的第一逻辑电平的第一阈值电平和表示所述数据位的一位的第二逻辑电平的第二阈值电平之间可变化的阈值，一用于积聚一载流子的载流子积聚层，一第一电流节点，一由沟道区与所述第一电流节点分离的第二电流节点和一用来建立越过所述载流子积聚层和所述沟道区域延伸的电场的控制节点；多个字线(W0-Wn)，选择性地连接到所述多个存贮单元的控制节点；多个数据线(B0-Bn)，选择性地连接到所述多个存贮单元的第一电流节点；其特征在于还包括，一电压控制器(12/13/14/15/16/17)，连接到所述多个字线和所述多个数据线，从而改变在一被选择的字线上的第一电压、在未选择字线上的第二电压、在被选择数据线上的第三电压和在未选择数据线上的第四电压，其特性是，所述电压控制器在所述编程操作中规定一第一时间周期(“g”-“h”和“k”-“m”)和一第二时间周期(t12)，所述第一电压到第四电压导致所述电场在所述第一时间周期将所述载流子从连接到所被选择字线和所述未选择数据线的载流子积聚层弱加速到所述未选择数据线；所述第一电压到第四电压导致所述电场将所述流子从所述未选择数据线弱加速到所述未选择存贮单元的载流子积聚层并且将所述载流子从所述选择的数据线强加速到连接到所述被选择字线和所述选择数据线的被选择存贮单元的载流子积聚层。