[发明专利]半导体显示器件校正系统和校正方法,及具有有源矩阵显示屏的电子器件有效
| 申请号： | 98120354.X | 申请日： | 1998-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1143171C | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G09G3/18;G09G3/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒;王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体显示器件校正系统，包括用于对从外部提供的图像信号进行γ校正的控制电路和用于存储γ校正数据的非易失存储器。为每个半导体显示器件准备用于γ校正的数据，从而可以实现优异的灰度显示。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 显示 器件 校正 系统 方法 具有 有源 矩阵 显示屏 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体显示器件校正系统，包括：用于提供数字图像信号的装置；半导体显示器件，包括含多个N沟道像素TFT的像素区、用于进行数字图像信号的γ校正的控制电路和用于存储γ校正所用数据的非易失存储器；用于把在半导体显示器件上显示的图像变换成数字信号的装置；和用于把数字图像信号与变换后的数字信号进行对比的装置，其中，控制电路由TFT构成，且控制电路和非易失存储器集成地形成在同一绝缘衬底上作为像素部分，其中，非易失存储器包括由含浮栅的P沟道FAMOS式TFT构成的存储元件和N沟道开关TFT，其中，多个N沟道像素TFT的栅电极、浮栅、和N沟道开关TFT的栅电极都包括相同的材料，以及其中，存储元件的源电极和漏电极包括与P沟道FAMOS式TFT的栅电极相同的材料。
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