[发明专利]电子发射装置和使用该装置的显示装置无效
| 申请号： | 98120469.4 | 申请日： | 1998-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1123906C | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 根岸伸安;小笠原清秀;吉川高正;中马隆;岩崎新吾;伊藤宽;吉泽淳志;山田高士;柳沢秀一;酒村一到 | 申请（专利权）人： | 先锋电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/312 | 分类号： | H01J1/312;H01J31/12;G09F9/33 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有高电子发射效率的电子发射装置。该装置包括：用金属或半导体制成的供电子层；在该供电子层上形成的绝缘层；以及在该绝缘层上形成的薄膜金属电极。所述绝缘层的膜厚为50-1000nm，而且所述供电子层是由经氢化的非晶形硅制成的，在供电子层和薄膜金属之间施加电场时，该电子发射装置发射电子，并且所述供电子层形成于基底的电极表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 装置 使用 显示装置 | ||
【主权项】：
1、一种电子发射装置，其包括：用金属或半导体制成的供电子层；在该供电子层上形成的绝缘层；以及在该绝缘层上形成的、并朝向真空空间的薄膜金属电极，该装置的特征在于，所述绝缘层的膜厚为50-1000nm，而且所述供电子层是由经氢化的非晶形硅制成的，在供电子层和薄膜金属之间施加电场时，该电子发射装置发射电子，以及所述供电子层形成于基底的电极表面上。
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