[发明专利]制造具有多层布线层的半导体装置的方法无效
| 申请号： | 98120553.4 | 申请日： | 1998-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1144270C | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 小田典明 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/324;H01L21/3115;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 这里提供一种制造即使在小线距时也具有小线容的半导体装置的制造方法。所包含的步骤包括在线层上形成包含三氧化二硅氢(HSQ)膜层的绝缘夹层，把氢离子植入HSQ膜层，并且对该半导体装置进行低温退火等。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 多层 布线 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括步骤：在一个布线层上形成含有三氧化二硅氢膜层的绝缘夹层；将氢离子植入所述三氧化二硅氢膜层；对所述半导体装置进行退火处理；在所述绝缘夹层中形成通路孔；和在所述通路孔中嵌入钨膜层，其中：所述离子植入的步骤和低温退火步骤在所述钨膜嵌入步骤之后执行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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