[发明专利]半导体激光器的制造方法有效
| 申请号： | 98120556.9 | 申请日： | 1998-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN1114979C | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | 藤本毅;内藤由美;大久保敦;山田义和 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠,张志醒 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在自对准结构半导体激光器中分别在有源层25的两面设置一对光导层23和28，光导层的带隙比有源层25宽；形成一对覆层22，29，能使有源层25和光导层23、28夹在其间，覆层的带隙比光导层23和28的宽；一对载流子阻断层24，26分别设置在有源层25和光导层23、28之间，载流子阻断层的带隙比有源层25和光导层23、28的带隙宽；使有带状窗口的电流阻断层27嵌入至少一个光导层23和28中，电流阻断层27通过选择生长而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自对准结构的半导体激光器的制造方法，它包括：分别在有源层(25)的两面提供一对覆层(22，29)，覆层的带隙比有源层(25)的宽；使具有带状窗口的电流阻断层(27)嵌入在至少一个覆层中，其中电流阻断层通过选择生长而形成；所述选择生长包括下列步骤：在电流阻断层即将形成的层上形成用于选择生长的掩模；除了带状窗口即将形成的部位外，去除形成在层上的选择生长的掩模；除了带状窗口的部位之外，通过整个层的晶体生长形成电流阻断层；去除在带状窗口部位的选择生长的掩模。
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