[发明专利]微细加工热辐射红外传感器无效
申请号: | 98120652.2 | 申请日: | 1998-10-21 |
公开(公告)号: | CN1251945A | 公开(公告)日: | 2000-05-03 |
发明(设计)人: | 涂相征 | 申请(专利权)人: | 李韫言 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100101 北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种微型热辐射红外传感器,用多孔硅膜形成的微桥为支持结构。微桥组成包括多孔硅膜,多孔硅梁,和挖空的隔层。多孔硅梁一端托起多孔硅膜,另一端连接硅片框架。作为热敏感元的热敏电阻器或热电探测器及其上的红外吸收膜由多孔硅膜支持。孔隙率高于60%,且微孔直径和微孔之间硅丝尺寸小于硅中声子自由程长度400A的多孔硅,其热导率远低于二氧化硅和氮化硅。多孔硅膜的残余应力也远低于二氧化硅膜和氮化硅膜,形成的膜厚不受应力限制。增加多孔硅膜厚度可以提高微桥的机械强度。该传感器可以采用工业标准的CMOS电路技术制造。 | ||
搜索关键词: | 微细 加工 热辐射 红外传感器 | ||
【主权项】:
1.一种微细加工的热辐射红外传感器,其特征是该传感器包括:一块硅片;一层多孔硅薄膜,处于所说硅片之内;至少一条多孔硅梁,一端托起所说多孔硅膜,另一端与所说硅片相连,其表面与所说多孔硅膜和所说硅片表面处于同一平面;一个挖空的隔层,处于所说多孔硅膜和多孔硅梁的下方,将多孔硅膜和多孔硅梁与所说硅片分开;第一层绝缘介质膜,覆盖所说多孔硅膜和多孔硅梁;一个热敏元,处于所说绝缘介质膜表面;第二层绝缘介质膜,覆盖所说热敏元;一层热幅射红外吸收膜,覆盖所说第一层介质膜和所说热敏元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的