[发明专利]减小器件制备中的氧化应力

摘要

一种具有形成在衬底表面下的沟槽电容器的随机存取存储单元。提供浅沟槽隔离,用于将存储单元与存储阵列的其它存储单元隔离。浅沟槽隔离包括升高到衬底上的上表面,以减小氧化应力。

主权项

1．一种计算机系统，包括：存储器，其中存储器包括随机存取存储单元，所说存储单元包括沟槽电容器，所说沟槽电容器形成在硅衬底的主表面下；晶体管，包括栅、源和漏区，其中，所说晶体管的所说漏区电连接到所说沟槽电容器；及升高的浅沟槽隔离(RSTI)，所说RSTI有高于硅衬底主表面的上表面，其中上表面的升高量足以防止随后形成的草皮层延伸到衬底表面下。