[发明专利]改进的多层导体结构及其形成方法

摘要

一种在集成电路上形成多层导体结构的方法。该方法包括形成第一导体层和在第一导体层之上形成第一介电层。该方法还包括在第一介电层之上形成第二导体层。还包括蚀刻穿过第二导体层并至少部分进入第一介电层，在第二导体层和第一介电层中形成槽，从而去除至少一部分所述介电层，在第二导体层中形成第一导体线和第二导体线。而且，该方法包括把低电容材料淀积进入槽。低电容材料代表其介电常数低于第一介电层介电常数的材料。

主权项

1.一种位于集成电路上的多层导体结构，所述多层导体结构包括：第一导体层；设置于所述第一导体层之上的第一介电层，所述第一介电层具有第一导体柱塞和第二导体柱塞；设置于所述第一介电层之上的第二导体层，所述第二导体层包括第一导体线和第二导体线，所述第一导体线与所述第一导体柱塞电连接，所述第二导体线与所述第二导体柱塞电连接；和设置在所述第一导体线和所述第二导体线之间的槽中的低电容材料层，所述槽穿过所述第二导体层并穿入所述第一介电层而形成，以允许至少部分所述低电容材料层设置在所述第一导体柱塞和所述第二导体柱塞之间，从而减小其间的电容耦合，所述低电容材料代表介电常数低于所述第一介电层的介电常数的材料，其中，所述第一导体柱塞通过所述第一介电层的第一介电材料与所述低电容材料隔离。