[发明专利]具有高空间效率的布图的半导体存储器有效
| 申请号： | 98120722.7 | 申请日： | 1998-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1135563C | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 格哈德·米勒;桐畑敏明 | 申请（专利权）人： | 西门子公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种具有高空间效率布图的半导体存储器。DRAM芯片有多个以行和列的方式排列的存储单元(18)。其包括一设在一般为长方形的其长边平行于行的第一区域之中的感测放大器组(14)，该组中的每一个感测放大器均位于相关列(16)的感测放大器区中。多个放大器(124或126)由至少一个驱动器(140或142)驱动，每一放大器设在一对互补位线(120)之间并位于感测放大器区之中。该至少一个驱动器与至少一个其它驱动器共享至少一个沿列的横向伸展的扩散区，这样可减少感测放大器组的触点数。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 空间 效率 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.具有多个以行和列的方式排列的存储单元的半导体存储器，该存储器包括：一设在一般为长方形形状的其长边平行于所述行的第一区域之中的感测放大器组，该组中的每个感测放大器设在相关列的相应感测放大器区之中；多个由至少一个驱动器驱动的放大器，该多个放大器的每一个位于设在一对互补位线之间的相关列的感测放大器区之中；和所述至少一个驱动器位于设在互补位线之间的至少一个感测放大器区中，并与至少一个其它驱动器共享沿着列方向的横向方向伸展的至少一个扩散区，使得感测放大器组的触点数得到减少。
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