[发明专利]具有移位冗余电路的半导体存储器电路无效
申请号: | 98120869.X | 申请日: | 1998-09-30 |
公开(公告)号: | CN1135475C | 公开(公告)日: | 2004-01-21 |
发明(设计)人: | 上野好典 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F11/20 | 分类号: | G06F11/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴增勇;陈景峻 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 半导体存储器电路包括多个各自连接到写/读电路和冗余写/读电路中的两个的移位冗余电路。多个熔丝元件彼此串联。熔丝元件之一连接在移位冗余电路之一和电源电位之间,而其余的则每个都连接在两个移位冗余电路之间。程序电路连接到设置在与连接到电源电位的熔丝元件相反的端部的各熔丝元件之一,并选择性地输出电源电位或地电位。设置多个分别检测熔丝元件是否烧断的断熔丝检测电路,并把每个写/读电路和冗余写/读电路控制在激活状态或者去激活状态。 | ||
搜索关键词: | 具有 移位 冗余 电路 半导体 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种具有移位冗余电路的半导体存储器电路,其特征在于包括:多个存储单元阵列;冗余存储单元阵列,准备在所述存储单元之中任何一个有缺陷时用来替换所述有缺陷的存储单元阵列;多个写/读电路,用来从所述存储单元阵列读出数据或将数据写入所述存储单元阵列;冗余写/读电路,用来从所述冗余存储单元阵列读出数据或将数据写入所述冗余存储单元阵列;多个移位冗余电路,其中的每一个都连接到所述写/读电路和所述冗余写/读电路中的两个,所述移位冗余电路允许这两个电路输出的信号中的一个通过;多个彼此串联的熔丝元件,所述熔丝元件中的一个连接在所述移位冗余电路中的一个和电源电压之间,而其他所述熔丝元件则分别连接在两个所述移位冗余电路之间;编程电路,它连接到设置在与连接到电源电压的所述熔丝元件相反一端的熔丝元件之一上,所述编程电路选择性地输出电源电压或地电压;以及多个断熔丝检测电路,用来单独地检测所述熔丝元件是否烧断,其特征在于每个所述断熔丝检测电路根据检测结果,把所述写/读电路和所述冗余写/读电路控制在激活状态或者去激活状态,并且根据检测结果,被分配给有缺陷的存储单元阵列的所述写/读电路可以被送入去激活状态。
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