[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 98120978.5 | 申请日： | 1994-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1149639C | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 大谷久;宫永昭治;张宏勇;福永健司 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东;王岳 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括至少一个含有结晶硅膜的有源区，在绝缘表面上形成，其特征在于，所述硅膜含促进非晶硅膜晶化过程的催化元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有至少一个薄膜晶体管的半导体器件，所述薄膜晶体管包括：一沟道区，具有一个含硅的结晶半导体层，在绝缘表面上形成；源区和漏区，所述沟道区即夹在此源区与漏区之间；一栅绝缘膜，毗邻所述沟道区；和一栅极，毗邻所述栅绝缘膜；其特征在于，所述结晶半导体层的表面具有一个{110}、{123}、{134}、{235}、{145}、{156}、{257}和{167}诸平面的至少其中之一平面，但没有{111}平面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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