[发明专利]用于铜的化学机械抛光(CMP)浆液以及用于集成电路制造的方法有效
| 申请号： | 98120987.4 | 申请日： | 1998-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1223308A | 公开（公告）日： | 1999-07-21 |
| 发明（设计）人： | D·瓦茨;R·巴加吉;S·达斯;J·法卡斯;C·丹格;M·福里曼;J·A·萨拉维亚;J·戈迈兹;L·B·库克 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C09G1/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 任宗华 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于化学机械抛光(CMP)一层铜层(22)的方法,开始于形成该铜层(22)。而后将该铜层(22)暴露于一种浆液(24)。该浆液(24)含有一种氧化剂如H2O2,一种羧酸盐如柠檬酸铵,一种磨料浆液如矾土磨料,一种任选的三唑或三唑衍生物,以及一种余量的溶剂如去离子水。使用该浆液(24)以高清除速率抛光该铜层(22),其中该铜层(22)的点蚀和腐蚀减少并可获得良好的铜互连平面性。该浆液(24)具有良好的铜相对于氧化物的选择性,得到具有良好电性能的铜设备。此外,对该浆液(24)的处理不会遇到环境上的困难,因为该浆液(24)与其它现有技术的浆液相比环境更为安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 化学 机械抛光 cmp 浆液 以及 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种化学机械抛光浆液(24)，其特征在于，一种氧化剂在0.2wt％至5wt％；一种羧酸盐在0.2wt％至20wt％；以及一种磨料浆液在1.0wt％至12wt％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于摩托罗拉公司，未经摩托罗拉公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98120987.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
