[发明专利]利用相变来制造半导体器件的方法

摘要

在制造半导体器件过程中，形成有第一相结构的难熔金属硅化物层。在这情况下，在半导体衬底被加热的状态下，在进行难熔金属淀积操作期间，可形成有第一相结构难熔金属硅化物层。另一种办法是，首先在真空状态下淀积难熔金属膜，然后，在真空状态下加热半导体衬底，以便把难熔金属膜转变成有第一相结构的难熔金属硅化物层。此后，进行热处理，以便把有第一相结构的难熔金属硅化物层改变成有第二相结构的难熔金属硅化物层。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括下面的步骤：在半导体衬底上形成有第一相结构的难熔金属硅化物层；和进行热处理，以便把有所述第一相结构的所述难熔金属硅化物层改变成有第二相结构的难熔金属硅化物层；其中有所述第一相结构的所述难熔金属硅化物层是Co2Si膜，有第二相结构的难熔金属硅化物层是CoSi膜，而有所述第三相结构的所述难熔金属硅化物层是CoSi2膜；在淀积钴膜时，加热半导体衬底使钴氧化为CO2Si，且控制钴的淀积率小于钴转变为CO2Si的相变率，从而在随后的热处理中使CO2Si转变为CoSi最终转变为CoSi2；或者在淀积钴层前在扩散区及栅极表面上形成阻挡膜，此阻挡膜起着允许钴原子通过阻挡膜而禁止硅原子通过所述阻挡膜的作用，从而在随后的热处理中使CO2Si转变为CoSi最终转变为CoSi2。