[发明专利]选择性金属层的形成方法及其应用无效
| 申请号： | 98121394.4 | 申请日： | 1998-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1133203C | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 姜尚范;蔡允淑;李相忍;林炫锡;尹美英 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/283;H01L21/768;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了一种选择性金属层的形成方法，及用其形成电容器的方法和用其填充接触孔洞的方法。通过通入一种对半导体衬底上的绝缘膜和导电层选择性沉积的牺牲金属源气体可在导电层上选择沉积牺牲金属层。通过通入一种其卤素亲和力比牺牲金属层中金属原子的卤素亲和力更小的金属卤化物气体，可形成牺牲金属原子和卤化物，并使牺牲金属层被沉积金属层如钛(Ti)或铂(Pt)所取代。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 金属 形成 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种选择性金属层形成方法，包括下列步骤：向室中引入在其表面形成绝缘膜和导电层的半导体衬底，并向室中通入由氢气和硅烷的混合气体构成的清洗气体；通过向室中通入可对于绝缘膜和导电层选择性地沉积的牺牲金属源气体，仅在导电层上形成牺牲金属层；通过向室中通入一种其卤素亲和力比牺牲金属层金属原子的卤素亲和力小的金属卤化物气体，用沉积金属层取代牺牲金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
