[发明专利]掺钕类低温相硼酸镧钪自倍频激光晶体无效

专利信息
申请号: 98121502.5 申请日: 1998-10-05
公开(公告)号: CN1250115A 公开(公告)日: 2000-04-12
发明(设计)人: 王国富;陈文志;林州斌;何美云;胡祖树 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22
代理公司: 中国科学院福建物质结构研究所专利事务所 代理人: 徐开翟,林朝熙
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明的掺钕类低温相硼酸镧钪自倍频激光晶体及其制备,采用助熔剂方法和一种复合助熔剂Li2O-B2O3-LiF分别生长出掺钕浓度在lat.%—25at.%之间,具有R32相结构和Cc相结构的低温相Nd3+LaSc3(BO3)4晶体。采用氧化铝、氧化镓替代部分氧化钪,采用同样的技术方法,生长出掺lat.%—25at.%Nd3+,分别具有R32相结构和Cc相结构的低温相Nd3+LaSc3-xAlx(BO3)4和Nd3+LaSc3-xAlx(BO3)4晶体。这些晶体作为自倍频激光晶体。
搜索关键词: 掺钕类 低温 硼酸 倍频 激光 晶体
【主权项】:
1.掺钕类低温相硼酸镧钪自倍频激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为Nd3+:LaSc3(BO3)4;该晶体属于低温相;掺钕离子浓度在1at.%~25at.%之间;具有R32空间群结构;并具有非线性光学效应,产生自倍频激光。
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