[发明专利]掺钕类低温相硼酸镧钪自倍频激光晶体无效
| 申请号： | 98121502.5 | 申请日： | 1998-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN1250115A | 公开（公告）日： | 2000-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王国富;陈文志;林州斌;何美云;胡祖树 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22 |
| 代理公司： | 中国科学院福建物质结构研究所专利事务所 | 代理人： | 徐开翟,林朝熙 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明的掺钕类低温相硼酸镧钪自倍频激光晶体及其制备,采用助熔剂方法和一种复合助熔剂Li2O－B2O3－LiF分别生长出掺钕浓度在lat.%—25at.%之间,具有R32相结构和Cc相结构的低温相Nd3+LaSc3(BO3)4晶体。采用氧化铝、氧化镓替代部分氧化钪,采用同样的技术方法,生长出掺lat.%—25at.%Nd3+,分别具有R32相结构和Cc相结构的低温相Nd3+LaSc3－xAlx(BO3)4和Nd3+LaSc3－xAlx(BO3)4晶体。这些晶体作为自倍频激光晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 掺钕类 低温 硼酸 倍频 激光 晶体 | ||
【主权项】：
1.掺钕类低温相硼酸镧钪自倍频激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Nd3+：LaSc3(BO3)4；该晶体属于低温相；掺钕离子浓度在1at.％～25at.％之间；具有R32空间群结构；并具有非线性光学效应，产生自倍频激光。
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