[发明专利]砷化镓、磷化镓衬底干处理方法无效
申请号: | 98121590.4 | 申请日: | 1998-11-11 |
公开(公告)号: | CN1071713C | 公开(公告)日: | 2001-09-26 |
发明(设计)人: | 廖常俊;刘颂豪 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学华南量子电子学研究所 |
主分类号: | C01G15/00 | 分类号: | C01G15/00;C01G28/00;C01B25/08;H01L21/30 |
代理公司: | 华南理工大学专利事务所 | 代理人: | 何燕玲 |
地址: | 51063*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种砷化镓、磷化镓衬底的干处理方法,直接用衬底生长材料的气体源为清洗剂,使高速转动的衬底表面与气体源在高温下相互作用,制备出表面结构完整且达到原子清洁的衬底;本发明方法消除了清洗设备自身固有的由清洗产物造成的污染、交叉污染及水和大气造成的污染;本发明方法因与生长材料的气相反应室相容,衬底清洗干净后可直接进行材料生长处理,避免衬底包装、运输和再安装带来二次污染。$#! | ||
搜索关键词: | 砷化镓 磷化 衬底 处理 方法 | ||
【主权项】:
1、一种砷化镓、磷化镓衬底的干处理方法,其特征在于直接用衬底生长材料的气体源为清洗剂,使高速转动的衬底表面与气体源在高温下相互作用,所述气体源是经氢气稀释的砷烷或磷烷,衬底转速为500转/分-1500转/分,清洗温度为400℃-800℃。
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