[发明专利]一种磁光克尔仪无效
申请号: | 98121930.6 | 申请日: | 1998-09-30 |
公开(公告)号: | CN1101003C | 公开(公告)日: | 2003-02-05 |
发明(设计)人: | 陈良尧;郑玉祥;张荣君;夏国强;陈岳立;赵海斌;杨月梅 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | G02B27/00 | 分类号: | G02B27/00 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 姚静芳 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 已有的磁光克尔效应的测量设计方法均采用单只探测器,只能对材料的单区域进行单次测量。如要对材料的微区进行高密度的数据扫描测量,则测量的效率较低,不易实用。本发明采用了具有一定像素范围数目的CCD探测器,通过旋转检偏器,在不同检偏角位置连续获得完整的CCD信号,并通过快速富利埃分析,不仅可获得宏区的克尔效应,而且可获得高分辨率的微区分布的克尔效应,形成凝视式磁光克尔图象。采用本发明制造的凝视式磁光克尔仪,可提高效率5千至5万倍,并快速、准确获得各种磁结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 克尔 | ||
【主权项】:
1、一种磁光克尔仪,主要由光源、起偏器P、样品、检偏器、探测器组成,光源通过固定的起偏器,其方位角与入射面垂直,其特征在于稳定的激光光源扩束至光斑直径与电荷耦合探测器总面积相等的平行光,该光源通过起偏器,其方位角固定在与入射面垂直位置,出射的线偏振光束以45°的入射角到样品上,样品置于平行于其表面的磁场中,光被反射后经检偏器由(750×380)~(8000×8000)像素数目范围的电荷耦合探测器接受,检偏器A是由高精度细分步进马达控制连续旋转的,检偏器出射的光由探测器接受,检偏器每旋转Ai角度时,对上述范围像素的xy位置进行A/D转换数据采集,得到对应的光强Ixyi,然后对信号作富利埃分析、处理,计算出克尔旋转角。
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