[发明专利]掩模半成品和掩模的制造方法有效
| 申请号： | 98122695.7 | 申请日： | 1998-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1144264C | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 稗田克彦;托马斯·法西;安德里斯·格拉思曼 | 申请（专利权）人： | 西门子公司;株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在由石英构成的圆形衬底的一侧表面的整个面上，形成由铬构成的遮光膜。旋转衬底，在遮光膜的上面涂敷抗蚀剂。由于衬底是圆形，因此抗蚀剂通过离心力在遮光膜的整个表面均匀扩散。因而，抗蚀剂在遍布遮光膜的几乎整个表面上具有几乎均匀的膜厚。把该抗蚀剂进行图形化形成抗蚀剂图形，通过以该抗蚀剂图形作为掩模腐蚀遮光膜，能够形成尺寸精度良好的图形。 | ||
| 搜索关键词： | 半成品 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩模半成品，包括：圆形的透光性衬底；形成在上述衬底的一侧表面的整个表面上的具有遮光性的膜；以及在上述膜的整个面上形成的具有均匀膜厚的抗蚀剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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