[发明专利]声表面波器件的制造方法有效
| 申请号： | 98122780.5 | 申请日： | 1998-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1221255A | 公开（公告）日： | 1999-06-30 |
| 发明（设计）人： | 门田道雄;米田年;藤本耕治 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造具有压电基片和设置在所述压电基片上的叉指式换能器的声表面波器件的方法,包括下述步骤在压电基片上形成由无机材料或有机材料制成的覆盖层,以覆盖所述叉指式换能器,以及由激光蚀刻覆盖层,以调节声表面波器件的工作频率。 | ||
| 搜索关键词： | 表面波 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种制造具有压电基片和设置在所述压电基片上的叉指式换能器的声表面波器件的方法，其特征在于包括下述步骤：在所述压电基片上形成由无机材料或有机材料制成的覆盖层，从而覆盖所述叉指式换能器；及蚀刻所述覆盖层，以调节所述声表面波器件的工作频率。
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