[发明专利]使用离子注入制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 98122790.2 | 申请日： | 1998-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1130757C | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 峰地辉;狮子口清一;斋藤修一 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,黄敏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供一种半导体器件的制造方法，使形成带双漏结构的MOSFET的源/漏区的浅外延成为可能。在步骤(a)中形成栅极；在步骤(b)中，将第二导电型的掺杂物离子注入衬底中，形成第一和第二掺杂区。在步骤(c)中，形成一对侧壁间隔层；在步骤(d)中，将第二导电型的掺杂物离子注入衬底中，形成第三和第四掺杂区；在步骤(e)中，对衬底进行退火处理，从而用第一和第三掺杂区构成具有双漏结构的一对源/漏区中的一个，用第二和第四掺杂区构成源/漏区中的另一个。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 离子 注入 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括按1keV或更低的加速能量将一种导电型的掺杂物离子注入到其导电型与所述掺杂物的导电型相反的单晶硅衬底中，以形成MOSFET的源/漏区的步骤；其中，该离子注入步骤是以与栅极自对准方式在所述栅极各侧形成第二导电型的第一和第二掺杂区的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
